大樣片離子束刻蝕機(jī)-創(chuàng)世威納-大樣片離子束刻蝕機(jī)廠家

離子束刻蝕
離子束刻蝕是通過物理濺射功能進(jìn)行加工的離子銑。國內(nèi)應(yīng)用廣泛的雙柵考夫曼刻蝕機(jī)通常由屏柵和加速柵組成離子光學(xué)系統(tǒng)，其工作臺可以方便地調(diào)整傾角，使碲鎘基片法線與離子束的入射方向成θ角，大樣片離子束刻蝕機(jī)廠家，并繞自身的法線旋轉(zhuǎn)
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離子束刻蝕機(jī)
加工
離子束刻蝕可達(dá)到很高的分辨率，適合刻蝕精細(xì)圖形。離子束加工小孔的優(yōu)點(diǎn)是孔壁光滑，大樣片離子束刻蝕機(jī)原理，鄰近區(qū)域不產(chǎn)生應(yīng)力和損傷能加_工出任意形狀的小孔，且孔形狀只取決于掩模的孔形。
加工線寬為納米級的窄槽是超精微加工的需要。如某零件要求在10nm的碳膜上，用電子束蒸鍍10nm的金一鋁(60/40)膜。
首先將樣品置于真空系統(tǒng)中，其表面自然形成---種污染*蝕劑掩模，用電子束*顯影后形成線寬為8nm的圖形，大樣片離子束刻蝕機(jī)品牌，然后用ya離子束刻蝕，離子束流密度為0.1ma/cm， 離子能量是1kev;另一種是在20nm厚的金一鈀膜上刻出線寬為8nm的圖形、深寬比提高到2.5:10。 由此可見離子束加工可達(dá)到很高的精度。
刻蝕氣體的選擇
對于多晶硅柵電*的刻蝕，腐蝕氣體可用cl2或sf6，要求對其下層的柵氧化膜具有高的選擇比。刻蝕單晶硅的腐蝕氣體可用cl2/sf6或sicl4/cl2；刻蝕sio2的腐蝕氣體可用chf3或cf4/h2；刻蝕si3n4的腐蝕氣體可用cf4/o2、sf6/o2或ch2f2/chf3/o2；刻蝕al（或al-si-cu合金）的腐蝕氣體可用cl2、bcl3或sicl4；刻蝕w的腐蝕氣體可用sf6或cf4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對于石英材料，可選擇氣體種類較多，大樣片離子束刻蝕機(jī)，比如cf4、cf4 h2、chf3 等。我們選用chf3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應(yīng)過程可表示為：chf3 e——chf 2 f (游離基) 2e，sio 2 4f sif4 (氣體) o 2 (氣體)。sio 2 分解出來的氧離子在高壓下與chf 2 基團(tuán)反應(yīng)， 生成co ↑、co 2↑、h2o ↑、o f↑等多種揮發(fā)性氣體 [3] 。
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