其他相關(guān)的IC工藝技術(shù)問(wèn)題

集成電路芯片偏置和驅(qū)動(dòng)的電源電壓vcc是選擇ic時(shí)要注意的重要問(wèn)題。從ic電源管腳吸納的電流，主要取決于該電壓值以及該ic芯片輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)的傳輸線(pcb線和地返回路徑)阻抗。5 v電源電壓的ic芯片驅(qū)動(dòng)50ω傳輸線時(shí)，吸納的電流為100ma；3．3 v電源電壓的ic芯片驅(qū)動(dòng)同樣的50ω傳輸線時(shí)，吸納電流將減小到66 ma；1．8 v電壓的ic芯片驅(qū)動(dòng)同樣的50ω傳輸線時(shí)，吸納電流將減小到36 ma．。由此可見(jiàn)，在公式v=印刷電路板中的電磁兼容設(shè)計(jì)方法總結(jié)，驅(qū)動(dòng)電流從100 ma減少到36 ma可以有效地降低電壓的瞬變電壓，因而也就降低了emi。低壓差分件(lvds)的信號(hào)電壓擺幅僅有幾百毫伏，可以想像這樣的器件技術(shù)對(duì)emi的改善將非常明顯。
電源系統(tǒng)的去耦也是一個(gè)特別值得關(guān)注的問(wèn)題。ic輸出級(jí)通過(guò)ic的電源管腳吸納的電流都是由電路板上的去耦網(wǎng)絡(luò)提供的。降低電源總線上壓降的一種可行辦法是縮短去耦電容到ic輸出級(jí)之間的分布路徑，這樣將降低公式中的“l(fā)”項(xiàng)。一種較直接的解決方法是將所有的電源去耦都放在ic內(nèi)部。較理想的情況是直接放在硅基芯片上，并緊鄰被驅(qū)動(dòng)的輸出級(jí)。目前僅有少數(shù)**微處理器采用了這種技術(shù)，但是ic廠商們對(duì)這項(xiàng)技術(shù)的興趣正與日俱增，可以預(yù)見(jiàn)這樣的設(shè)計(jì)技術(shù)必將在未來(lái)大規(guī)模、高功耗的ic設(shè)計(jì)中普遍應(yīng)用。
在ic封裝內(nèi)部設(shè)計(jì)的電容通常數(shù)值都很小(小于幾百皮法)，所以系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師仍然需要在pcb板上安裝數(shù)值在0．001～0．1uf之間的去耦電容，然而ic封裝內(nèi)部的小電容可以抑制輸出波形中的高頻成分，這些高頻成分是emi的較主要來(lái)源。
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