KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應(yīng)用

上海伯東美國kri 考夫曼 rf 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, ibsd 離子束濺射沉積 和 ibd 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.
kri離子源在 ibsd 離子束濺射沉積應(yīng)用通常安裝兩個離子源主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性氣體基板遠離濺射目標工藝壓力在小于× 10-4 torr
離子源在離子束濺射沉積工藝過程:
上海伯東美國kri 射頻離子源優(yōu)勢提供致密, 光滑, 無針孔, 的薄膜遠離等離子體: 低基材溫度不需要偏壓襯底濺射任何材料, 不需要射頻濺射電源非常適用于復雜, 精密的多層薄膜制備清潔, 低污染工藝沉積原子為堅硬, 的薄膜保留濺射能量離子能量, 離子電流密度的控制優(yōu)良的反應(yīng)沉積工藝
上海伯東美國 kri射頻離子源rficp 系列, 燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間長! 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.上海伯東是美國kri 離子源中國總代理.上海伯東同時提供濺射沉積系統(tǒng)所需的渦輪分子泵,真空規(guī),高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).1978 年 dr. kaufman 博士在美國創(chuàng)立 kaufman & robinson, inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源,霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng)40 年改良及發(fā)展 離子源廣泛用于離子清洗 pc, 離子蝕刻 ibe, 輔助鍍膜 ibad, 離子濺射鍍膜 ibsd 領(lǐng)域.
伯東企業(yè)（上海）有限公司專注于pfeiffer,氦質(zhì)譜檢漏儀,intest等